In der Fertigungshalle ist die thermische Schwankung während des Trocknungsprozesses der Wafer keine abstrakte Bedrohung – sie führt vielmehr zu konkreten Defekten und einem Rückgang der Produktivität. Wenn der Ofen oder die Heizplatte die Temperatur nicht innerhalb der vorgeschriebenen Grenzen halten kann, verschlechtert sich die Kontrolle über die Dicke der Schichten, die Haftung zwischen den Schichten nimmt ab und die Anzahl der Partikel steigt. Wir haben unsere Infrarotheizelemente so konzipiert, dass diese Schwankungen beseitigt werden – schließlich ist beim Halbleiterverarbeitungsprozess die Temperaturregulierung besonders wichtig, und Wiederholgenauigkeit ist das einzige akzeptable Kriterium.
Was technisch wichtig ist:
Unsere Infrarotheizelemente gewährleisten eine Temperaturuniformität auf Wafer-Ebene von ±0,1 °C. Dadurch bleiben die Parameter des Weich- und Hartbackprozesses stabil. Die Reaktionszeit ist kurz, wodurch Temperaturschwankungen vermieden werden, wenn der Deckel geöffnet wird oder wenn verschiedene Chargen verarbeitet werden. Das Design sorgt außerdem dafür, dass keine Partikel entstehen, und eignet sich daher für Reinräume der Klassen 1–100. Die Leistung bleibt über 5.000 Stunden hinweg konstant – mit weniger als 5 % Abweichung. Dadurch kann man die Wartung planen, anstatt mit unplanierten Stillständen zu kämpfen.
Warum das in der Lithografie und beim Trocknen funktioniert:
In der Lithografie beeinflusst der Weichbackprozess die Verdunstung von Lösungsmitteln sowie den Druck auf die Schichten. Selbst kleine Temperaturschwankungen können die Eigenschaften der Schichten verändern. Beim Trocknen der Wafer führt überschüssige Feuchtigkeit zu Mikrobridgen und Kontaminationen. Unser Infrarotansatz adressiert genau diese Probleme, indem er den Prozessablauf optimiert und die Wiederholgenauigkeit zwischen den Chargen verbessert. Dadurch wird eine bessere Kontrolle über die Abmessungen der Schichten erreicht, es kommt zu weniger Nacharbeiten, und der Energieverbrauch pro Wafer sinkt – schließlich geht die Energie direkt in das Substrat, statt dazu verwendet zu werden, den Raum zu heizen.
Was Sie beachten müssen:
Bei der Installation muss die Wellenlänge sowie die Leistungsdichte der Heizelemente der Geometrie des Reflektors sowie des Temperatursensors angepasst werden. Die Anbindung an vorhandene Geräte ist einfach – doch die Steuerungsstrategie muss korrekt sein. Eine offene Regelung ersetzt keine geschlossene Temperaturregelung. Planen Sie einen kurzen Testbetrieb, um die Einstellungen zu optimieren und die Temperaturuniformität über die gesamte Fläche des Wafer zu überprüfen, bevor Sie in den vollständigen Produktionsbetrieb gehen.