Heizer für die Nachbelichtung (PEB)

Fri, 03 Jul 2026 02:37:26 +0800

Auf der Lithografieebene ist die PEB-Phase der Punkt, an dem die gewünschten Linienbreiten festgelegt werden. Wenn man die Temperatur um 0,5 °C auf der Waferoberfläche ändert, entsteht ein Bias, um den man dann Wochen lang kämpfen muss. Wir haben diesen Heizer entwickelt, um diese Variable auszuschließen.

Was wichtig ist: Der Kern des Heizers besteht aus einem Array aus Quarz-Halogen-Kurzwellenemittern, kombiniert mit einer Schleifenkontrolle. Auf einer 300-mm-Waferoberfläche bleibt die thermische Homogenität bei ±0,1 °C. Die Wiederholgenauigkeit zwischen verschiedenen Chargen liegt bei ±0,2 °C – dadurch bleibt das Aktivierungsprofil des Photolithikums konstant. Die Materialien des Behälters entsprechen den Anforderungen für Reinräume der Klassen 1–100. Zudem sorgt die Geometrie des Heizers dafür, dass es zu keinen Turbulenzen kommt – dadurch entstehen während des Aufheizvorgangs keine Partikel. Es werden stabile Zielwerte von 90 °C bis 150 °C erreicht, die Erhitzungsgeschwindigkeit beträgt bis zu 10 °C/S. Zudem wird dadurch verhindert, dass es zu Hotspots kommt.

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Heizer für die Nachbelichtung (PEB)