<?xml version="1.0" encoding="utf-8" standalone="yes"?>
<rss version="2.0" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom">
	<channel>
		<title>Panggang on Warm IR Heaters for Home</title>
		<link>http://warm-ir-heater-home.com/id/tags/panggang/</link>
		<description>Recent content in Panggang on Warm IR Heaters for Home</description>
		<generator>Hugo</generator>
		<language>id</language>
		
		
		
		
			<lastBuildDate>Fri, 03 Jul 2026 02:37:26 +0800</lastBuildDate>
		
			<atom:link href="http://warm-ir-heater-home.com/id/tags/panggang/index.xml" rel="self" type="application/rss+xml" />
			<item>
				<title>Pemanas untuk proses post exposure bake (PEB)</title>
				<link>http://warm-ir-heater-home.com/id/posts/post-exposure-bake-peb-heater/</link>
				<pubDate>Fri, 03 Jul 2026 02:37:26 +0800</pubDate>
				<guid>http://warm-ir-heater-home.com/id/posts/post-exposure-bake-peb-heater/</guid>
				<description>&lt;p&gt;&lt;img src=&#34;http://warm-ir-heater-home.com/images/0a976f8a438e1a813cc995e9355a4471.png&#34; alt=&#34;Pemanas untuk proses post exposure bake (PEB)&#34;&gt;&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;Di area litografi ini, langkah PEB digunakan untuk menetapkan lebar garis yang diinginkan. Jika suhu berubah sebesar 0,5°C pada wafer, maka akan terbentuk efek bias yang membutuhkan waktu berminggu-minggu untuk diperbaiki. Kami merancang pemanas Post Exposure Bake ini agar variabel tersebut dapat dikendalikan dengan baik.&lt;/p&gt;&#xA;&lt;p&gt;&lt;strong&gt;Apa yang penting di baliknya?&lt;/strong&gt;&#xA;Inti dari sistem ini adalah array pemancar gelombang pendek berbahan kuarsa-halogen, yang dikombinasikan dengan sistem kontrol berkelompok. Pada wafer berukuran 300 mm, keseragaman suhu tetap berada dalam kisaran ±0,1°C. Repeatabilitas antar batch juga tetap dalam kisaran ±0,2°C, sehingga &lt;a href=&#34;https://o-yate.com&#34;&gt;profil&lt;/a&gt; aktivasi fotoresist tidak berubah. Bahan-bahan pembuat chamber ini sesuai standar ruang bersih kelas 1–100. Geometri pemanasnya dirancang sedemikian rupa sehingga turbulensi diminimalkan, sehingga tidak ada partikel yang terbentuk selama proses pemanasan. Anda akan mendapatkan titik suhu yang stabil antara 90°C hingga 150°C, dengan laju peningkatan suhu hingga 10°C/detik. Selain itu, desainnya juga mencegah terbentuknya daerah panas di &lt;a href=&#34;https://henruite.com&#34;&gt;permukaan&lt;/a&gt; wafer.&lt;/p&gt;</description>
			</item>
	</channel>
</rss>
