
Auf der Lithografieebene ist die PEB-Phase der Punkt, an dem die gewünschten Linienbreiten festgelegt werden. Wenn man die Temperatur um 0,5 °C auf der Waferoberfläche ändert, entsteht ein Bias, um den man dann Wochen lang kämpfen muss. Wir haben diesen Heizer entwickelt, um diese Variable auszuschließen.
Was wichtig ist: Der Kern des Heizers besteht aus einem Array aus Quarz-Halogen-Kurzwellenemittern, kombiniert mit einer Schleifenkontrolle. Auf einer 300-mm-Waferoberfläche bleibt die thermische Homogenität bei ±0,1 °C. Die Wiederholgenauigkeit zwischen verschiedenen Chargen liegt bei ±0,2 °C – dadurch bleibt das Aktivierungsprofil des Photolithikums konstant. Die Materialien des Behälters entsprechen den Anforderungen für Reinräume der Klassen 1–100. Zudem sorgt die Geometrie des Heizers dafür, dass es zu keinen Turbulenzen kommt – dadurch entstehen während des Aufheizvorgangs keine Partikel. Es werden stabile Zielwerte von 90 °C bis 150 °C erreicht, die Erhitzungsgeschwindigkeit beträgt bis zu 10 °C/S. Zudem wird dadurch verhindert, dass es zu Hotspots kommt.
Vorteile: Die Temperaturunterschiede im Rahmen der PEB-Phase führen direkt zu Fehlern in der CD-Qualität sowie zu geringerem Ertrag. Mit diesem Heizer laufen die Prozesse genau nach den vorgegebenen Parametern ab – nicht nach den Entscheidungen der Maschine selbst. Dadurch werden weniger Ausschusswafer produziert, die Verteilung der Eigenschaften auf den wichtigen Schichten bleibt präziser, und die Qualifizierungsprozesse werden beschleunigt.
Energieeinsparung: Außerdem wird Energie eingespart, denn die Kurzwellenquelle heizt nur das Zielobjekt, nicht die Umgebung. Die geringe thermische Masse verkürzt außerdem die Zeit vom Stillstand zum Aufheizvorgang. Die Betriebszeit bleibt konstant – dieses System ist für einen 24/7-Betrieb konzipiert, wobei die Wartung planbar ist.
Was man benötigt: Der Heizer funktioniert mit Standard-FOUP- und SEMI-Schnittstellen. Allerdings benötigt er eine eigene 24-V-Steuerspannungsleitung sowie saubere, trockene Luft, damit die Reinigung des Fensters effektiv erfolgen kann. Bei der Installation sollten 30 Minuten für die Ausrichtung und Überprüfung der Temperaturdrift eingeplant werden. Danach sollte täglich eine Überprüfung der Homogenität mit einer kalibrierten Wafer durchgeführt werden.
In Hochfeuchtigkeitsräumen: Stellen Sie sicher, dass die Geschwindigkeit des Lüftungsvorgangs ausreichend ist. Andernfalls kann Kondensation den Infrarotstrahl stören und zu kleinen, wiederholbaren Abweichungen führen.