Di bilik pengeluaran, perubahan suhu semasa proses memanaskan bahan fotoresist atau mengeringkan wafer bukanlah masalah yang boleh diabaikan. Perubahan tersebut akan menyebabkan kerosakan pada wafer dan penurunan kadar pengeluaran. Apabila ketuhar atau permukaan panas tidak dapat mengekalkan suhu pada tahap yang ditetapkan, kawalan ketebalan lapisan pada wafer akan terjejas, daya lekat antara bahan-bahan akan berkurangan, dan jumlah zarah halus akan meningkat. Kami telah merancang elemen pemanas inframerah ini agar dapat mengurangkan variasi suhu tersebut. Dalam proses pemprosesan semikonduktor, kawalan suhu yang tepat sangat penting, dan kebolehulangan merupakan faktor utama yang perlu dipastikan.
Apa yang penting dari segi teknikal:
Elemen pemanas inframerah kami mampu mencapai tahap keseragaman suhu pada tahap ±0.1°C, sekaligus memastikan proses pemanggangan berjalan dengan stabil. Tindak balas pemanasan yang cepat membantu mengelakkan peningkatan suhu secara mendadak apabila penutup ketuhar dibuka atau ketika menukar kumpulan wafer yang diproses. Reka bentuk ini juga memastikan tiada zarah halus terbentuk, dan sesuai digunakan dalam bilik bersih kelas 1–100. Prestasi pemanas ini tetap stabil walaupun setelah 5,000 jam beroperasi, dengan penurunan prestasi kurang dari 5%. Ini membolehkan anda merancang penyelenggaraan dengan lebih baik, tanpa perlu risau tentang masa henti yang tidak dijangka.
Mengapa cara ini berkesan dalam proses litografi dan pengeringan:
Dalam proses litografi, proses pemanggangan yang tidak tepat boleh mempengaruhi proses penguapan pelarut dan tekanan pada lapisan yang terbentuk. Perubahan suhu yang sedikit pun boleh mempengaruhi dimensi struktur yang dihasilkan. Dalam proses pengeringan wafer pula, kelembapan yang tinggal boleh menyebabkan pembentukan struktur mikro dan kotoran pada wafer. Pendekatan pemanasan inframerah ini dapat mengatasi masalah tersebut, sekaligus meningkatkan kebolehulangan proses pengeluaran. Hasilnya, kawalan dimensi wafer menjadi lebih baik, kerja-kerja pembetulan menjadi kurang diperlukan, dan penggunaan tenaga untuk setiap wafer juga berkurangan—kerana tenaga digunakan sepenuhnya untuk memanaskan substrat, bukan untuk memanaskan ruang ketuhar.
Apa yang perlu dilakukan dengan betul:
Pemasangan elemen pemanas ini memerlukan penyesuaian panjang gelombang dan kepadatan tenaga yang sesuai dengan geometri reflektor alat tersebut serta sistem pengesan suhu. Pemasangannya mudah, tetapi strategi kawalan perlu diselaraskan dengan baik. Kawalan intensiti secara terbuka tidak dapat menggantikan kawalan suhu secara tertutup. Adalah penting untuk melakukan ujian pendek sebelum memulakan proses pengeluaran penuh, agar dapat memastikan keseragaman suhu pada seluruh permukaan wafer.